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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MMBF170-7-F |
MOSFET 60V 225mW
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Dioden eingebunden
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PMXB360ENEAZ |
MOSFET 80 V, N-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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Si3552DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FQPF47P06YDTU |
MOSFET -60V -30A P-Kanal
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Fairchild Halbleiter
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IRFR320TRPBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Ampere
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Vishay Halbleiter
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PMV55ENEAR |
MOSFET PMV55ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
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Nexperia
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SI3421DV-T1-GE3 |
MOSFET 20V, -20V.0192ohm @-10V -8A P-Ch
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Vishay Halbleiter
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IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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Infineon Technologies
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IXTA26P20P |
MOSFET -26,0 Ampere -200V 0,170 Rds
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IXYS
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FQD12N20TM |
MOSFET 200 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMS8888 |
MOSFET N-Kanal-PwrTrench 30V 21A 9,5mOhm
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Fairchild Halbleiter
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FDS8958A |
MOSFET SO8 COMP N-P-CH
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Fairchild Halbleiter
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FQP13N10 |
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0,18OHM
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Fairchild Halbleiter
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FDS6690AS |
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
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Fairchild Halbleiter
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FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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SI7846DP-T1-E3 |
MOSFET 150V 6,7A 5,2W
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Vishay Halbleiter
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BSC098N10NS5 |
MOSFET Pwr-Transistor 100V OptiMOS 5
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Infineon Technologies
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IPB60R380C6 |
MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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FDS6679 |
MOSFET SO-8
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Fairchild Halbleiter
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SI7232DN-T1-GE3 |
MOSFET 20V 25A 23W 16,4mAh @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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BSC011N03LS |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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FDC6318P |
MOSFET 2P-CH 12V 2,5A SSOT-6
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Einheitlich
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DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
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Dioden eingebunden
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IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
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Infineon Technologies
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NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A MICROFET6
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Einheitlich
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FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
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Einheitlich
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IRF7319TRPBF |
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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Infineon Technologies
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DMP3056LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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Dioden eingebunden
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Einheitlich
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FDMS3620S |
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
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Einheitlich
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FDS6975 |
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
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Einheitlich
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DMN65D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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Dioden eingebunden
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DMC2038LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
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Dioden eingebunden
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FDC6333C |
MOSFET N/P-CH 30V 2,5A/2A SSOT6
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Einheitlich
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BSL215CH6327XTSA1 |
MOSFET N/P-CH 20V 1,5A TSOP-6
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Infineon Technologies
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FDC6506P |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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Einheitlich
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FDS9958 |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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Einheitlich
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SI4542DY |
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
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Einheitlich
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STN1NK60Z |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
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STMikroelektronik
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Stellenabschluss |
MOSFET N-CH 1KV 13A bis 247
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STMikroelektronik
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FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
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Einheitlich
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
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Einheitlich
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DMN6140L-7 |
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
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Dioden eingebunden
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DMP3099L-7 |
MOSFET P-CH 30V SOT23
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Dioden eingebunden
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DMG3402L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
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Dioden eingebunden
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DMG3415U-7 |
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
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Dioden eingebunden
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NDS331N |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
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Einheitlich
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