STN1NK60Z
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±30V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
300mA (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
6.9nC @ 10V
Hersteller:
STMikroelektronik
Minimale Quantität:
4000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
SuperMESH™
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
94pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15 Ohm @ 400mA, 10 V
Verlustleistung (maximal):
3.3W (Tc)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
600 V
Einleitung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
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Bild | Teil # | Beschreibung | |
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