DMN65D8LDW-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Produktkategorie:
MOSFET
Fabrikbestand:
0
Minimale Quantität:
3000
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
22pF @ 25V
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Status des Teils:
Aktiv
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
180mA
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft:
Tor des logischen Zustandes
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6 Ohm @ 115mA, 10V
Leistung - Max.:
300 mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Reihe:
-
Hersteller:
Dioden eingebunden
Einleitung
Der DMN65D8LDW-7, von Diodes Incorporated, ist MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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