IPP65R190CFD
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 650V 17,5A TO220-3 CoolMOS CFD2
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
Durchs Loch
Handelsbezeichnung:
CoolMOS
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
650 V
Verpackung:
Schlauch
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
4 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
A 17,5
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
190 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Qg - Tor-Gebühr:
68 nC
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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