PMXB360ENEAZ
fabricant:
Nexperia
Beschreibung:
MOSFET 80 V, N-Kanal-Grench-MOSFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
1,1 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
80 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
1.7 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
345 mOhms
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
3 nC
Hersteller:
Nexperia
Einleitung
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