Die Ausrüstung ist in Form von
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT NPN Trans/Switch Diode-Relay Drvr
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
500 MA
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
80 V
Packung / Gehäuse:
SOT-363-6
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
100 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
80 V
Reihe:
DRDN005
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
4 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
250 Millivolt
Hersteller:
Dioden eingebunden
Einleitung
Der DRDN005W-7, von Diodes Incorporated, ist Bipolar Transistors - BJT. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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