2SB1386T100Q
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
5 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
- 20 V
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
120 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
- 30 V
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
- 6 V
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Einleitung
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