Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 100V NPN niedrig VCE ((SAT) TRA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
2 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
SOT-223-4
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
100 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
140 V
Reihe:
NSS1C201MZ4
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
7 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0.18 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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