Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT SS NPN 300mW
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
0,6 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
mit einer Leistung von 160 V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
300 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
180 V
Reihe:
MMBT5551
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
6 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
0,2 V
Hersteller:
Dioden eingebunden
Einleitung
Die MMBT5551-7-F, von Diodes Incorporated, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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