PMV100EPAR
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.2V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
130mOhm @ 2.2A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
616 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV100
Einleitung
P-Kanal 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Oberflächenhalter TO-236AB
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