STP120N4F6
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
65 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.3mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3850 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Supplier Device Package:
TO-220
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
110W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STP120
Einleitung
N-Kanal 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) durch Loch TO-220
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Stellvertretung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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STP110N8F6 |
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Stellvertretung für die Überwachung der Sicherheit |
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
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Die Ausrüstung ist in der Lage, |
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
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STP4NK60ZFP |
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Stellvertretung |
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