RUM002N02T2L
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Produktstatus:
Aktiv
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
25 pF @ 10 V
Reihe:
-
Vgs (Max):
±8V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
VMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Mfr:
Rohm Semiconductor
Operating Temperature:
150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 2.5V
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Package / Case:
SOT-723
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RUM002
Einleitung
N-Kanal 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenhalter VMT3
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