Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerUDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21.7mOhm @ 7.5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1000 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Reihe:
-
Supplier Device Package:
HUML2020L8
Mfr:
Rohm Halbleiter
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.5A (Ta)
Verlustleistung (maximal):
2W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RF4E075
Einleitung
P-Kanal 30 V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenhalter HUML2020L8
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