IXTH50P10
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
140 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55mOhm @ 25A, 10V
FET-Typ:
P-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Paket:
Schlauch
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4350 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH50
Einleitung
P-Kanal 100 V 50 A (Tc) 300 W (Tc) durch Loch TO-247 (IXTH)
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