IRF740STRLPBF
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
550mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
400 V
Vgs (Max):
±20V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Series:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
10A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF740
Einleitung
N-Kanal 400 V 10A (Tc) 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) Oberflächenaufbau D2PAK (TO-263)
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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