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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 600V 36A
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IXYS
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FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP14N30 |
MOSFET 300 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Kanal-Vorlauf Q-FET
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
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Siliconix / Vishay
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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Einheitlich
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IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
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Infineon Technologies
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IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Infineon Technologies
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FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
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Fairchild Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultraschnittstelle X2
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IXYS
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IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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Infineon Technologies
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SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
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Siliconix / Vishay
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DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
MOSFET Linear erweiterte FBSOA Leistung MOSFET
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IXYS
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Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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Vishay Halbleiter
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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IXFK44N80P |
MOSFET 44 Ampere 800 V
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IXYS
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BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Ampere
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Vishay Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
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Infineon Technologies
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BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Infineon Technologies
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FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Kanal-Leistungsgraben
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Fairchild Halbleiter
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FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Kanal-Stromspannung MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP46N15 |
MOSFET 150V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDS86141 |
MOSFET 100V N-Kanal-Stromstrang MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6,5A 3,7W
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Vishay Halbleiter
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SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41,7W 7,9mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2-Serie
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Fairchild Halbleiter
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SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11,4A 5,0W 24mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2,6A P-Kanal
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Einheitlich
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BSS123,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V.15A
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Nexperia
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HyperFET PWR MOSFET
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 Mohms @ 4.5V
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Vishay Halbleiter
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SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 qualifizierte
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Vishay Halbleiter
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SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0,0056Vgs Rds ((An)
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Siliconix / Vishay
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FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4,5A 8-SO
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Einheitlich
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KSZ9031RNXIA-TR |
IC TXRX ETHERNET 48-QFN
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Mikrochiptechnik
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FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A bis 220
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Einheitlich
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IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
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Infineon Technologies
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TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A bis 220SIS
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Toshiba
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IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V bis 220-3
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Infineon Technologies
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STM32F100VDT6 |
ARM Mikrocontroller - MCU 32-Bit ARM Cortex 384 Kb Wertlinie
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
ARM Mikrocontroller - MCU 32 KB Flash 4 KB RAM
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Silikonlabs
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MK60DN256VLQ10 |
ARM Mikrocontroller - MCU KINETIS 256K
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Freescale / NXP
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STR710FZ2T6 |
ARM Mikrocontroller - MCU 256K Flash 64K RAM
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STMikroelektronik
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