Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.
fabricant:
Siliconix / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifiziert
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
30 A, 30 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
Dies ist der Fall.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
100 V, 100 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
1.5 V, 1,5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
21 mOhms, 21 mOhms
Anzahl der Kanäle:
2 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
Einheitliche Prüfungen
Qg - Tor-Gebühr:
30 nC, 30 nC
Hersteller:
Siliconix / Vishay
Einleitung
Die SQJ974EP-T1_GE3, von Siliconix/Vishay, ist MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, der in Original- und neuen Teilen erhältlich ist.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
SUM90P10-19L-E3
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: