IRFPS37N50APBF
fabricant:
Vishay Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET N-Chan 500V 36 Ampere
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Verpackung:
Schlauch
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Hersteller:
Vishay Halbleiter
Einleitung
Die IRFPS37N50APBF, von Vishay Semiconductors, ist MOSFET. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009.
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
SQM40031EL_GE3
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 443/2009. |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: