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Einzelne FETs, MOSFETs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die Daten sind in der Liste aufgeführt. |
MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
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Einheitlich
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Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung |
MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
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Infineon Technologies
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NDS335N |
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
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Einheitlich
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NDS351AN |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
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Einheitlich
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IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXYS
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IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXYS
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXYS
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXYS
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXYS
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXYS
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STP110N8F6 |
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
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STMikroelektronik
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FCP190N60E |
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
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Einheitlich
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FQA19N60 |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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Einheitlich
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NP32N055SLE-E1-AY |
NP32N055 - POWER FIELD-EFFECT TR
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RENESAS
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FCP36N60N |
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO
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Einheitlich
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SPP08N80C3 |
SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE
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Infineon Technologies
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IPP60R180P7 |
IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Erzeugnisse. |
PSMN025-80YL - N-CHANNEL 80V, LO
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NXP USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
PSMN021-100YL - N-CHANNEL 100V,
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NXP USA Inc.
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IPA60R280P6 |
600V, N-CHANNEL POWER MOSFET
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Infineon Technologies
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NX3008PBK,215 |
NOW NEXPERIA NX3008PBK - SMALL S
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NXP USA Inc.
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2N7002 |
N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
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BSS123 |
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
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IXYS
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IXTB30N100L |
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
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IXYS
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Siehe auch: |
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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IXYS
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IXFX26N120P |
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
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IXYS
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IXFK26N100P |
MOSFET N-CH 1000V 26A bis 264AA
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
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IXYS
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Sie ist nicht mehr in der Lage. |
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
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Mikrochiptechnik
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen: |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247
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IXYS
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IXFK34N80 |
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
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IXYS
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IXFX34N80 |
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
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IXYS
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IXFK26N90 |
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
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IXYS
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IXFK102N30P |
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
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IXYS
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IXFH14N100Q2 |
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
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IXYS
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IXFX180N10 |
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
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IXYS
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