IXFK27N80
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
400 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
300mOhm @ 13.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9740 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-264AA (IXFK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Power Dissipation (Max):
500W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFK27
Einleitung
N-Kanal 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) durch das Loch TO-264AA (IXFK)
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
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