Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
380 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Package:
Tube
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
300 V
Vgs (Max):
±20V
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
14500 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
700W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN130
Einleitung
N-Kanal 300 V 130 A (Tc) 700 W (Tc) Fahrgestell SOT-227B
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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