BSS123
fabricant:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. ist eine Firma mit Sitz in Yangzhou.
Beschreibung:
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14 pF @ 50 V
Series:
-
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
Einleitung
N-Kanal 100 V 200 mA (Ta) 350 mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23
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