IPB014N06N
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
180 A
Montageart:
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-263-7
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
60 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
2,1 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
1,2 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Qg - Tor-Gebühr:
124 n. Chr.
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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