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fabricant:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET 850V Ultra Junction Pwr MOSFET der Klasse X
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
66 A
Montageart:
Durchs Loch
Handelsbezeichnung:
HiPerFET
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-264-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
850 V
Verpackung:
Schlauch
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
3,5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
65 mOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Qg - Tor-Gebühr:
230 n. Chr.
Hersteller:
IXYS
Einleitung
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