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Transistoren

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
FF900R12IE4

FF900R12IE4

IGBT-Module IGBT 1200V 900A
Infineon Technologies
FP100R12KT4

FP100R12KT4

IGBT-Module IGBT-Module
Infineon Technologies
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.

IGBT-Module IGBT 1700V 1200A
Infineon Technologies
FF600R17ME4

FF600R17ME4

IGBT-Module EconoDUAL 3 1700V Doppel-IGBT-Modul mit Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter-gesteuerter Diod
Infineon Technologies
VUB145-16NOXT

VUB145-16NOXT

IGBT-Module 3-Phasen-Gleichmachbrücke mit IGBT
IXYS
AUIRGDC0250

AUIRGDC0250

IGBT 1200V 141A 543W bis 220
Infineon Technologies
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

IGBT-Module N-CH 600V 37A
Infineon Technologies
Die Ausrüstung ist in der Lage,

Die Ausrüstung ist in der Lage,

IGBT-Module N-CH 1,2 KV 100A
Infineon Technologies
Die Genehmigung für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind, wird von der Kommission erteilt.

Die Genehmigung für die Verwendung von Fahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind, wird von der Kommission erteilt.

IGBT-Module IGBT-Module 650V 150A
Infineon Technologies
FP100R06KE3

FP100R06KE3

IGBT-Module N-CH 600V 100A
Infineon Technologies
FF150R12KS4

FF150R12KS4

IGBT-Module 1200V 150A DUAL
Infineon Technologies
FF450R12KT4

FF450R12KT4

IGBT-Module N-CH 1.2KV 580A
Infineon Technologies
IKQ100N60T

IKQ100N60T

IGBT 600V TO247-3
Infineon Technologies
FNA22512A

FNA22512A

IGBT-Module 1200V 25A Wechselrichter Smart Power Modul
Fairchild Halbleiter
FF200R12KT4

FF200R12KT4

IGBT-Module N-CH 1,2 KV 320A
Infineon Technologies
FF600R12ME4

FF600R12ME4

IGBT-Module IGBT 1200V 600A
Infineon Technologies
2MBI200U4H-120

2MBI200U4H-120

IGBT-Modul
Fuji Elektrik
2SB1184TLQ

2SB1184TLQ

Bei der Erstellung von Bipolartransistoren - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
Rohm Halbleiter
NJVNJD2873T4G

NJVNJD2873T4G

Bipolare Transistoren - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
Einheitlich
ZXTN649FTA

ZXTN649FTA

Bipolare Transistoren - BJT Zetex Med. Power
Dioden eingebunden
2SA1900T100Q

2SA1900T100Q

Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 1A SO-89
Rohm Halbleiter
DSA200200L

DSA200200L

Bipolare Transistoren - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2,9x2,8 mm
Panasonics
DSA7101R0L

DSA7101R0L

Bipolare Transistoren - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4,5x4,0 mm
Panasonics
2SC2412KT146R

2SC2412KT146R

Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 0,15A
Rohm Halbleiter
2SB1205T-TL-E

2SB1205T-TL-E

Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 5A 20V
Einheitlich
FCX495TA

FCX495TA

Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
Dioden eingebunden
2SC5200-O (Q)

2SC5200-O (Q)

Bipolare Transistoren - BJT NPN 230V 15A
Toshiba
BCW66HTA

BCW66HTA

Bipolare Transistoren - BJT NPN mit niedriger Sättigung
Dioden eingebunden
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

Bipolare Transistoren - BJT 40V 300mW
Dioden eingebunden
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindungen ist in der Angabe des Zustands der Zellstoffverbindungen anzugeben.

Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindungen ist in der Angabe des Zustands der Zellstoffverbindungen anzugeben.

Bipolare Transistoren - BJT 40V 150mW
Dioden eingebunden
FZT651TA

FZT651TA

Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
Dioden eingebunden
FZT857TA

FZT857TA

Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
Dioden eingebunden
ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA

Bipolare Transistoren - BJT 60V NPN Med Power
Dioden eingebunden
PZT2222AT1G

PZT2222AT1G

Bipolare Transistoren - BJT 600mA 75V NPN
Einheitlich
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

Bipolare Transistoren - BJT 8A 80V 20W PNP
Einheitlich
MMBTA42-7-F

MMBTA42-7-F

Bipolare Transistoren - BJT 300V 300mW
Dioden eingebunden
FZT657TA

FZT657TA

Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
Dioden eingebunden
Die Bezeichnung "M" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung.

Die Bezeichnung "M" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung.

Bipolare Transistoren - BJT 200mA 60V NPN
Einheitlich
FMMT593TA

FMMT593TA

Bipolare Transistoren - BJT PNP mittlere Leistung
Dioden eingebunden
2SA1837

2SA1837

Bipolare Transistoren - BJT PNP - 230V -1A 20W
Toshiba
FZT653TA

FZT653TA

Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
Dioden eingebunden
FZT851TA

FZT851TA

Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochstrom
Dioden eingebunden
2SA1774EBTLR

2SA1774EBTLR

Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0,15A 3-P
Rohm Halbleiter
SST3904T116

SST3904T116

Bipolare Transistoren - BJT 40V 20MA
Rohm Halbleiter
2SC4672T100Q

2SC4672T100Q

Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 3A
Rohm Halbleiter
BCP56T1G

BCP56T1G

Bipolare Transistoren - BJT 1A 100V NPN
Einheitlich
SST2222AT116

SST2222AT116

Bipolare Transistoren - BJT NPN 40V 0,6A
Rohm Halbleiter
2SD1733TLR

2SD1733TLR

Bipolare Transistoren - BJT NPN 80V 1A
Rohm Halbleiter
2SC3906KT146R

2SC3906KT146R

Bipolare Transistoren - BJT NPN 120V 50MA
Rohm Halbleiter
2SA1037AKT146Q

2SA1037AKT146Q

Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 0,15A
Rohm Halbleiter
20 21 22 23 24