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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRFR6215TRPBF |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
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Infineon Technologies
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ZXMP10A18KTC |
MOSFET P-CH 100V 3,8A DPAK
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Dioden eingebunden
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FDS2572 |
MOSFET N-CH 150V 4,9A 8-SOIC
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Einheitlich
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ZXMP10A18GTA |
MOSFET P-CH 100V 2,6A SOT223
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Dioden eingebunden
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FDS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
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Einheitlich
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FDMS037N08B |
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
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Einheitlich
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IRF5210STRLPBF |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
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Infineon Technologies
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FQB55N10TM |
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
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Einheitlich
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FDB44N25TM |
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
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Einheitlich
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FDB8441 |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
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Einheitlich
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FDB3632 |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Einheitlich
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FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
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Einheitlich
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FQP3P50 |
MOSFET P-CH 500V 2,7A bis 220
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Einheitlich
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FQPF47P06 |
MOSFET P-CH 60V 30A bis 220F
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Einheitlich
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STW15NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 15A bis 247
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STMikroelektronik
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FCH041N60E |
MOSFET N CH 600V 77A bis 247
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Einheitlich
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DMN6140LQ-7 |
MOSFET N-CH 60V 1,6A SOT23
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Dioden eingebunden
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SI3443DV |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
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Einheitlich
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FDC654P |
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
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Einheitlich
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DMP3056LSS-13 |
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
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Dioden eingebunden
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FDT1600N10ALZ |
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
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Einheitlich
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DMN6040SVT-7 |
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
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Dioden eingebunden
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FDS9431A |
MOSFET P-CH 20V 3,5A 8SOIC
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Einheitlich
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DMP4050SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
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Dioden eingebunden
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FDD6N20TM |
MOSFET N-CH 200V 4,5A DPAK
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Einheitlich
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NTD20P06LT4G |
MOSFET P-CH 60V 15,5A DPAK
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Einheitlich
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FDD8896 |
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
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Einheitlich
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FQD12N20LTM |
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
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Einheitlich
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
MOSFET N-CH 50V 16A bis 252AA
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Einheitlich
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FCD5N60TM |
MOSFET N-CH 600V 4,6A DPAK
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Einheitlich
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FDS3580 |
MOSFET N-CH 80V 7,6A 8SOIC
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Einheitlich
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IRLI540NPBF |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
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Infineon Technologies
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Stellvertretung der Kommission |
MOSFET N-CH 650V 58A bis 247
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STMikroelektronik
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IRL40SC228 |
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
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Infineon Technologies
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STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
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STMikroelektronik
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IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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AUIRLR3410TRL |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
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Infineon Technologies
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IRL7472L1TRPBF |
MOSFET N-CH 40V 375A
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Infineon Technologies
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IRFR5305TRLPBF |
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
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Infineon Technologies
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IRFS7440TRLPBF |
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
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Infineon Technologies
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STH3N150-2 |
MOSFET N-CH 1500V 2,5A H2PAK-2
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STMikroelektronik
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STW4N150 |
MOSFET N-CH 1500V 4A bis 247
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STMikroelektronik
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IRF7815TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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STW12NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 11A bis 247
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STMikroelektronik
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IRF200S234 |
Die Daten werden von den zuständigen Behörden übermittelt.
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Infineon Technologies
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IPW60R037CSFD |
HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies
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2SC2078 |
27MHz HF-Leistungsverstärker
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SANYO
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IXFH58N20 |
MOSFET 200V 58A
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 500V 44A
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IXYS
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FQA28N50 |
MOSFET 500 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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