FQB55N10TM
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±25V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
55A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
98 nC bei 10 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
800
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
QFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2730pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
D-² PAK (TO-263AB)
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26 mOhm @ 27.5A, 10V
Verlustleistung (maximal):
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Einleitung
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