ZXMP10A18GTA
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.6A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
P-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
26.9nC @ 10V
Hersteller:
Dioden eingebunden
Minimale Quantität:
1000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1055pF @ 50V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
150 mOhm @ 2,8A, 10V
Verlustleistung (maximal):
2W (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Einleitung
Die ZXMP10A18GTA, von Diodes Incorporated, ist MOSFET. Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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