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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMikroelektronik
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PD85004 |
Fet-RF 40V 870MHZ
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STMikroelektronik
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MRF1511NT1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
Fet-RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRF1518NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRF8P29300HR6 |
Fet-RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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DU28200M |
MOSFET, 200W, 28V, 2 bis 175
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MACOM Technologielösungen
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NE3515S02-T1C-A |
HJ: Übermäßig geräuscharmer
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CEL
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PD55003-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMikroelektronik
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MRFE6VP61K25HR5 |
Fet-RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET-Hochfrequenz-N-Kanal 50V M177
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Mikrochiptechnik
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VRF151 |
Mosfet-Rf PWR N-CH 50V 150W M174
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Mikrochiptechnik
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MRFE6VP5600HR6 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
Fet-RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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AFT09MS031NR1 |
Fet-RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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ARF460AG |
FET RF N-CH 500V 14A TO247
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Mikrochiptechnik
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AFT27S006NT1 |
Wird die Leistung von LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP USA Inc.
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DRC5114E0L |
Trans Prebias NPN 150 MW SMINI3
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Elektronische Komponenten von Panasonic
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Die Angaben sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten. |
Trans Prebias PNP 200 MW SC59-3
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Dioden eingebunden
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DTC114EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transist
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Yangjie Technologie
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DTC114YUA |
Transistoren - Bipolar (BJT) - Si
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Yangjie Technologie
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DTC144EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transist
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Yangjie Technologie
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DTC124EUA |
SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transist
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Yangjie Technologie
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Die Bezeichnung "MMUN2232LT1G" |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. |
Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
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Einheitlich
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DTB123YKT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC123YETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC124XETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC123EETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC124EETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC044EMT2L |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Rohm Halbleiter
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DTC143ZU3HZGT106 |
DTC143ZU3HZG ist eine digitale Transition
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Rohm Halbleiter
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DTA114EMT2L |
Trans Prebias PNP 150 MW VMT3
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Rohm Halbleiter
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DTA143ZETL |
Trans Prebias PNP 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTA114TKAT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTD143EKT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC144EEBTL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3F
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Rohm Halbleiter
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PDTB114EUX |
Trans Prebias PNP 0,425 W
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Nexperia USA Inc.
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DTC123EUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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PDTD114EUX |
Trans Prebias NPN 0,425 W
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Nexperia USA Inc.
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DTC144EUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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PDTB113ZT,215 |
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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DTA114YUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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PDTA124ET,215 |
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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DTC143ZETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC124EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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