PDTA124ET,215
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236AB
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitterbasis (R2):
22 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTA124
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - vorgebildeter 50 V 100 mA 250 mW Oberflächenhalter TO-236AB
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