DRC5114E0L
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 500μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMini3-F2-B
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Elektronische Komponenten von Panasonic
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SC-85
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
DRC5114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenhalter SMini3-F2-B
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: