DTA114EMT2L
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
Trans Prebias PNP 150 MW VMT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
VMT3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
ROHM Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
SOT-723
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
20 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTA114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenhalter VMT3
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