Filter
Filter
Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 1 GHz 96FBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16HA-125: |
DRAM 8G 1,35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gewichtung von Gewichtsverlust |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1,8 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS und NAND EEPROM
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash-Speicher 8 GB 3.3 V SLC NAND Flash-Speicher EEPROM
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verwendung von Zellstoff. |
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ TBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gewichtung der Gewichtung |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Winbond Elektronik
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVZPIQ |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
|
Winbond Elektronik
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFA040 |
Flash-Speicher noch
|
Zypress Halbleiter
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,2 GHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8SA-075: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: |
IC FLASH 64G PARALLEL 166MHZ
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13ESFA0F |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G Parallel 800 MHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1LJS-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 |
IC DRAM 32G PARALLEL 1333 MHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8E12-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F |
IC FLASH 1G SPI UPDFN
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT29F2G08ABAGAH4-IT: G |
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E |
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAWP-AIT |
IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-062E: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,6 GHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT51J256M32HF-70:A |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAJAECE-AIT |
IC FLASH 512G MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEEF-AIT |
IC FLASH 128G MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 2,0 GHz FBGA
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAPALNS-AIT |
IC FLASH 1T MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 erfasst. |
IC FLASH 256G MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 512G MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067 MHz
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AUT |
SERIAL NOR 512M MT35X 45NM IT
|
Mikrontechnologie
|
|
|
|
|
|
Ich bin nicht derjenige, der dich anspricht. |
Flash-Speicher 16 GB NAND EEPROM
|
Toshiba
|
|
|