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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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K4E6E304EE-EGCF |
Speicher-IC
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Halbleiter von Samsung
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S29WS512P0SBFW000 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-512Mb 1.8V 80Mhz NOCH grelles
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Spansion / Zypressen
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S29WS256P0PBFW000 |
Flash-Speicher 256 MB, 1,8 V, 66 MHz, paralleler NOR-Flash
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Spansion / Zypressen
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S29GL032N90TFI030 |
Flash-Speicher 3V 32 Mb Float Gate zwei Adresse 90s
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Zypress Halbleiter
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S29GL064N90TFI010 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-64Mb 3V 90ns NOCH grelles
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Zypress Halbleiter
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IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3,3 V
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ISSI
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1,35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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ISSI
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K4B1G1646G-BCH9 |
Spezifikation für 1 GB D-Die DDR3 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K4G80325FB-HC25 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Parallel 128Mbit 16 56/56
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STMikroelektronik
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IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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ISSI
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IS43TR16256AL-15HBLI |
DRAM 4G, 1,35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29CD016J0PQAM113 |
Flash-Speicher noch
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Zypress Halbleiter
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IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G, 1,5 V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G, 1,5 V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G, 1,5 V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1,35 V, 1600 MHz DDR3L SDAM
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ISSI
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S29GL128N90FFAR22 |
Flash-Speicher noch
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Zypress Halbleiter
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt. |
Flash-Speicher 8 GB NAND EEPROM
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Toshiba
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S29GL032N90FFIS30 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-32Mb 3V 90ns NOCH grelles
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Zypress Halbleiter
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TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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THGBMHG7C1LBAIL |
Flash-Speicher 16 GB NAND EEPROM mit CQ
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Toshiba
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S70FL256P0XMFI001 |
Flash-Speicher 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NOCH Blitz
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Zypress Halbleiter
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S25FL116K0XMFI041 |
Flash-Speicher 16M, 3V, 108Mhz serienmäßig NOCH grell
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Zypress Halbleiter
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
Flash-Speicher 2 Mb QSPI, 8-Pin SOP 150 Mil, RoHS, ET, T&R
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ISSI
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IS25LQ032B-JBLE |
Flash-Speicher 32M SPI, 8 Stift-BESCHWICHTIGUNGSMITTEL 208mil UND 2.3-3.6V
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ISSI
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TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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S29JL032J70TFI220 |
Grelle 3.0V 70ns Ähnlichkeit des Flash-Speicher-32MB NOCH grell
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Zypress Halbleiter
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S34MS04G100BHI000 |
Flash-Speicher 4G, 1,8 V, 45 ns NAND-Flash
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Spansion / Zypressen
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S34ML01G200BHV000 |
Flash-Speicher-NAND
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Zypress Halbleiter
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S34MS01G100BHI000 |
Flash-Speicher 1G, 1,8 V, 45 ns NAND-Flash
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Spansion / Zypressen
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S29GL032N90TFI023 |
Ähnlichkeit des Flash-Speicher-32MB 2.7-3.6V 90ns NOCH grelles
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Zypress Halbleiter
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IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16 MB QSPI, 8-poliger USON 2 x 3 mm, RoHS, T&R
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ISSI
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TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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Toshiba
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IS43TR16256A-125KBLI-TR |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3
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ISSI
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IS43TR16256A-107MBLI |
DRAM 4G, 1,5 V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1,35V
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ISSI
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IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G, 1,5 V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
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ISSI
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IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G,1.5V, RoHs 1600MT/s, 512Mx16
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ISSI
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IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 Kugel BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
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ISSI
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IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G, 1,35 V, 1600 MHz DDR3L SDAM
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ISSI
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