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Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Das ist die MBRM110ET1G |
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
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Einheitlich
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SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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SB10-05P-TD-E |
DIODE SCHOTT 50V 1A SOT89/PCP-1
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Einheitlich
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SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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St. 110A |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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STMikroelektronik
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Bei der Prüfung der Leistung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE1
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Mikrochiptechnik
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SB10150 |
DIODE SCHOTTKY 150V 10A DO201AD
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SMC-Diodenlösungen
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SBR1045SP5-13 |
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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RB551V-30TE-17 |
Diode SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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SF1600-TR |
DIODE AVALANCHE 1.6KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Beurteilung der Verbrennung |
DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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B360B-E3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PMEG4005EGWJ |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Nexperia USA Inc.
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PMEG4010EGWJ |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
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Nexperia USA Inc.
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S1M-E3/61T |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAT54L,315 |
DIODE SCHOTT 30V 200MA DFN1006-2
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Nexperia USA Inc.
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BAV21WS-7-F |
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
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Dioden eingebunden
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1SS388 |
DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523
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SMC-Diodenlösungen
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US1D |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAV3004W-7-F |
DIODE GEN PURP 300V 225MA SOD123
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB162M-40TR |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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PDU620-13 |
DIODE GEN PURP 200V 6A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt. |
Diode Schottky 100V 5A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Prüfung der Ausrüstung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Der Wert des Zinssatzes ist zu messen. |
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
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Panjit International Inc.
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SB07-03C-TB-E |
DIODE SCHOTTKY 30V 700MA 3CP
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Einheitlich
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BYG23M-E3/TR |
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB051M-2YTR |
DIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDU
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Rohm Halbleiter
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NRVBA160NT3G |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
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Einheitlich
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SK16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
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SMC-Diodenlösungen
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BAS21W |
SOT-323, 250V, 0,2A, Schaltanlage D
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Taiwan Semiconductor Corporation
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VS-150EBU02 |
DIODE GP 200V 150A POWIRTAB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-40EPF12-M3 |
DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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APT30DQ60BG |
DIODE GP 600V 30A TO247
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Mikrochiptechnik
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MSS1P6-M3/89A |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1SS400 |
SOD-523F, 100V, 0,2A, Schaltanlage
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Taiwan Semiconductor Corporation
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1N4148WSQ-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
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Dioden eingebunden
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BAT 54C |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Diode GEN PURP 200V 3A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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S1M-13-F |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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Dioden eingebunden
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Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1SS355 |
SOD-323F, 90V, 0.25A, SWITCHING
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Taiwan Semiconductor Corporation
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S3M-E3/57T |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS316 |
SOD-323, 100V, 0,25A, Schalter
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS130-7 |
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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STMikroelektronik
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