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Einzelne Dioden

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
1N6621US

1N6621US

DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF
Mikrochiptechnik
Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen.

Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen.

DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
Rohm Halbleiter
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
RB060MM-60TFTR

RB060MM-60TFTR

RB060MM-60TF IS THE HIGH RELIABI
Rohm Halbleiter
SK34

SK34

Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
SMC-Diodenlösungen
VS-15ETH06-M3

VS-15ETH06-M3

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

DIODE GP 200V 500MA DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
RB160L-40TE25

RB160L-40TE25

DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS
Rohm Halbleiter
RR268MM-600TFTR

RR268MM-600TFTR

DIODE GEN PURP 400V 1A PMDU
Rohm Halbleiter
JANTX1N5619

JANTX1N5619

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Mikrochiptechnik
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

DIODE GP 600V 500MA DO219AB
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt.

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt.

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
PMEG40T30ERX

PMEG40T30ERX

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123W
Nexperia USA Inc.
Stellenabschluss

Stellenabschluss

DIODE SCHOTTKY 25V 2A SMB
STMikroelektronik
PMEG6020AELRX

PMEG6020AELRX

DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
Nexperia USA Inc.
PNE20020ERX

PNE20020ERX

DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W
Nexperia USA Inc.
Bei der Beurteilung der Verzögerung

Bei der Beurteilung der Verzögerung

DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen

Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen

DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
APT30DQ100BG

APT30DQ100BG

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Mikrochiptechnik
Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.

DIODE SCHOTTKY 30V 2A CLP1608-2L
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
RR2LAM4STR

RR2LAM4STR

DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
Rohm Halbleiter
RB168VYM100FHTR

RB168VYM100FHTR

DIODE SCHOTTKY 100V 1A TUMD2M
Rohm Halbleiter
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.

Diode SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
SDM20U30-7

SDM20U30-7

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Dioden eingebunden
LL103A-GS08

LL103A-GS08

DIODE SCHOT 40V 200MA SOD80
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
BAS85-GS08

BAS85-GS08

DIODE SCHOT 30V 200MA SOD80
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
S1J-E3/61T

S1J-E3/61T

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
S1JHE3_A/I

S1JHE3_A/I

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
MSS2P3-M3/89A

MSS2P3-M3/89A

DIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
BAT54JFILM

BAT54JFILM

DIODE SCHOTTKY 40V 300MA SOD323
STMikroelektronik
BAT46WH115

BAT46WH115

DIODE SCHOTT 100V 250MA SOD123F
Nexperia USA Inc.
1SS380TE-17

1SS380TE-17

DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2
Rohm Halbleiter
BAS40.215

BAS40.215

Diode SCHOTTKY 40V 120MA bis 236AB
Nexperia USA Inc.
NRVUA220VT3G

NRVUA220VT3G

DIODE GEN PURP 200V 2A SMA
Einheitlich
BAT54WT-7

BAT54WT-7

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD523
Dioden eingebunden
SDM10U45-7

SDM10U45-7

DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD523
Dioden eingebunden
APT60D120BG

APT60D120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247
Mikrochiptechnik
RB520SM-30T2R

RB520SM-30T2R

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
Rohm Halbleiter
PMEG4010ESBYL

PMEG4010ESBYL

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2
Nexperia USA Inc.
BAV19WS-7-F

BAV19WS-7-F

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
Dioden eingebunden
BAT54HT1G

BAT54HT1G

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
Einheitlich
1PS76SB70,115

1PS76SB70,115

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Nexperia USA Inc.
1N4148W-HE3-08

1N4148W-HE3-08

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
GS1M_R1_00001

GS1M_R1_00001

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Panjit International Inc.
DST2080S

DST2080S

DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO277B
Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
BAV20W-7-F

BAV20W-7-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
BY228TAP

BY228TAP

DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
BAV103-GS08

BAV103-GS08

DIODE GP 200V 250MA SOD80
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
S1K-13-F

S1K-13-F

Diode GEN PURP 800V 1A SMA
Dioden eingebunden
RB751V40,115

RB751V40,115

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323
Nexperia USA Inc.
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