BYG23M-E3/TR
fabricant:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Produktstatus:
Aktiv
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 1000 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Technology:
Avalanche
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 150°C
Package / Case:
DO-214AC, SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
1000 V
Current - Average Rectified (Io):
1.5A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
BYG23
Einleitung
Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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VS-60EPF04-M3 |
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugvertrieb. |
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
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