Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
Diode GEN PURP 8KV 4.2A UGE
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 mA @ 8000 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
6.25 V @ 7 A
Package:
Box
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
UGE
Mfr:
IXYS
Technology:
Standard
Package / Case:
UGE
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
8 000 V
Current - Average Rectified (Io):
4.2A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Base Product Number:
UGE1112
Einleitung
Diode 8000 V 4.2A Fahrgestell UGE
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