Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 180 A
Montageart:
SMD/SMT
Handelsbezeichnung:
OptiMOS
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-263-7
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 40 V
Verpackung:
Spirale
Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:
- 2,2 V
Produktkategorie:
MOSFET
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
1.8 MOhms
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
+/- 16 V
Qg - Tor-Gebühr:
286 n. Chr.
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
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