DMN26D0UFB4-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±10V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
230 mA (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Hersteller:
Dioden eingebunden
Minimale Quantität:
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1,5 V, 4,5 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14.1pF @ 15V
Lieferanten-Gerätepaket:
X2-DFN1006-3
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3 Ohm @ 100mA, 4,5 V
Verlustleistung (maximal):
350mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
3-XFDFN
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Einleitung
Der DMN26D0UFB4-7, von Diodes Incorporated, ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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