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DIODEN
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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SDM2100S1F-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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US1D-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SK14 |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
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SMC-Diodenlösungen
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SDM20U40-7 |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
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Dioden eingebunden
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RS1B |
Diode GEN PURP 100V 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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ES2J |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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US1M |
1000, 1A, 75NS, SMA, ULTRA FAST
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SMC-Diodenlösungen
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Erforderlich für die Berechnung der Verbrennungsmenge |
Diode GEN PURP 600V 3A SMC
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Panjit International Inc.
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SK54_R1_00001 |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Panjit International Inc.
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US1M-E3/61T |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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B340AQ-13-F |
Diode Schottky 40V 3A SMA TR 5K
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Dioden eingebunden
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ES1J |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Taiwan Semiconductor Corporation
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PMEG3020EH,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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RB060M-60TR |
Diode SCHOTTKY 60V 2A PMDU
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Rohm Halbleiter
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US1M-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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Dioden eingebunden
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mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm |
Diode SCHOT 40V 30MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5619 |
Diode GEN PURP 600V 1A axiale
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Mikrochiptechnik
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SGL41-30-E3/96 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10E45P5-13 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Dioden eingebunden
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RHRP15120 |
Diode GP 1,2 KV 15A TO220-2L
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Einheitlich
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PDS5100HQ-13 |
Diode SCHOTTKY 100V 5A Leistung
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Dioden eingebunden
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SBR8U60P5-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 60V 8A ist.
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Dioden eingebunden
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PMEG060V100EPDAZ |
Diode Schottky 60V 10A CFP15
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Nexperia USA Inc.
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SF1600-TAP |
Dioden-Avalanche 1,6 KV 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS240LQ-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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PMEG60T30ELPX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Nexperia USA Inc.
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SBR2U30P1-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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Die Bezeichnung des Erzeugnisses darf nicht geändert werden. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen nicht erfüllt sind.
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Dioden eingebunden
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B350A-13-F |
Diode Schottky 50V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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SK56 |
Diode SCHOTTKY 60V SMC
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SMC-Diodenlösungen
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B2100-13-F |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMB
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Dioden eingebunden
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SS12 |
Diode SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
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Einheitlich
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RB051LAM-40TR |
DIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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SK36 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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SMC-Diodenlösungen
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RSX301LAM30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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Bei der Verwendung von Zylindersystemen |
Diode AVAL 600V 1,5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BYG21M-E3/TR |
Dioden-Avalanche 1KV 1,5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Einheit für die Berechnung der Zertifikate |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1N5817 |
Diode Schottky 20V 1A DO41
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STMikroelektronik
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RB060MM-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 2A PMDU
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Rohm Halbleiter
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US1J-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SB3100 |
Diode SCHOTTKY 100V DO201AD
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SMC-Diodenlösungen
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SBR1A40S1-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Dioden eingebunden
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SBR3U60P1Q-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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RR264MM-400TFTR |
Diode GEN PURP 400V 700MA PMDU
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Rohm Halbleiter
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SS24S-E3/61T |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB751V-40TE-17 |
Diode SCHOTTKY 30V 30MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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US1D-13-F |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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RB160VAM-40TR |
Diode SCHOTTKY 40V 1A TUMD2M
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Rohm Halbleiter
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