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DIODEN
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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B340-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Dioden eingebunden
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Stellenabschluss |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMA
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STMikroelektronik
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B360A-13-F |
Diode Schottky 60V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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S3MB-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 3A SMB
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Dioden eingebunden
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S2M |
Einheit für die Berechnung der Leistung von elektrischen Antrieben
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Einheitlich
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B230A-13-F |
Diode Schottky 30V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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PMEG6002EJ,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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PMEG4010CEJ,115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Nexperia USA Inc.
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B140HW-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
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Dioden eingebunden
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1N5819HW-7-F |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
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Dioden eingebunden
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RS1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Einheitlich
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MMSD701T1G |
Diode Schottky 70V 200MA SOD123
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Einheitlich
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S1B |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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B140B-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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NSR0320MW2T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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US1J-13-F |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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S1GB-13-F |
Diode GEN PURP 400V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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1PS79SB30,115 |
Diode Schottky 40V 200MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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Das ist BAS521.115 |
Diode GEN PURP 300V 250MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WS-E3-08 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS516,115 |
Diode GEN PURP 100V 250MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WQ-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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1N914BWT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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BAT54LT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4148W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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S1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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PTZTE2518B |
Diode Zener 19V 1W PMDS
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Rohm Halbleiter
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PTZTE259.1B |
Diode Zener 9,8V 1W PMDS
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Rohm Halbleiter
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PTZTE2520B |
Diode Zener 20,8V 1W PMDS
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Rohm Halbleiter
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PTZTE257.5B |
Diode Zener 7,9V 1W PMDS
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Rohm Halbleiter
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KDZTR24B |
Diode Zener 25,3 V 1 W PMDU
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Rohm Halbleiter
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KDZTR9.1B |
Diode ZENER 9,8V 1W PMDU
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Rohm Halbleiter
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KDZTR3.9B |
Diode ZENER 4.1V 1W PMDU
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Rohm Halbleiter
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1SMB5927 |
Diode Zener 12V 3W DO214AA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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1N4760A |
ZENER-DIODE 68V 1W DO204AL
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Der Ausdruck "Schienen" ist nicht mehr zu verstehen. |
Diode Zener 3,9V 200MW UMD2
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Rohm Halbleiter
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Der Ausdruck "Schienen" ist in der Liste aufgeführt. |
Diode Zener 9,1V 200MW UMD2
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Rohm Halbleiter
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MMSZ5248B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5250B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5246B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5245B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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1SMA4753 |
Diode Zener 36V 1,25W DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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1SMA4749 |
Diode Zener 24V 1,25W DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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UDZSTE-173.6B |
Diode Zener 3,6V 200MW UMD2
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Rohm Halbleiter
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MMSZ5232B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5226B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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TDZTR18 |
Diode ZENER 18V 500MW TUMD2
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Rohm Halbleiter
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BZV55C7V5 |
MMELF, 500 MW, 5%, kleines Signal Z
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5258B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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MMSZ5228B |
SOD-123F, 500 MW, 5%, kleine Signal
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Taiwan Semiconductor Corporation
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