ES2J
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
20 pF bei 4 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AA (SMB)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
ES2J
Einleitung
Oberflächenberg DO-214AA (SMB) der Dioden-600 V 2A
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ES1J
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Bild | Teil # | Beschreibung | |
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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SS310 |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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SS16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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SS210 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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BAT 54A |
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RS3M |
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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SOT-323, 250V, 0.2A, SWITCHING D
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SOD-523F, 100V, 0.2A, SWITCHING
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