ES2J
fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung:
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
20 pF bei 4 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AA (SMB)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
ES2J
Einleitung
Oberflächenberg DO-214AA (SMB) der Dioden-600 V 2A
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