1N5619
fabricant:
Mikrochiptechnik
Beschreibung:
Diode GEN PURP 600V 1A axiale
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 600 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 3 A
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
250 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5619
Einleitung
Diode 600 V 1A durch Loch A, axiale
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