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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDS4675 |
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
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Einheitlich
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IRF7493TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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IRFH9310TRPBF |
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
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Infineon Technologies
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IRFR5410TRPBF |
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
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Infineon Technologies
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IRFH7004TRPBF |
MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6
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Infineon Technologies
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FDMS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
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Einheitlich
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IRLR3110ZTRPBF |
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. |
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
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STMikroelektronik
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FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
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Einheitlich
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FDMS3662 |
MOSFET N-CH 100V 8,9A POWER56
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Einheitlich
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FCD9N60NTM |
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
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Einheitlich
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NVMFS5C604NLAFT1G |
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
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Einheitlich
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FDPF33N25T |
MOSFET N-CH 250V 33A bis 220F
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Einheitlich
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FDB047N10 |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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Einheitlich
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STF13NM60N |
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
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STMikroelektronik
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STW26NM60N |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
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STMikroelektronik
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FDL100N50F |
MOSFET N-CH 500V 100A bis 264
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Einheitlich
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NTR4003NT3G |
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
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Einheitlich
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DMN55D0UT-7 |
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
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Dioden eingebunden
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BVSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
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Einheitlich
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DMP2004K-7 |
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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DMG3406L-7 |
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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Dioden eingebunden
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MCH3474-TL-W |
MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3
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Einheitlich
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DMP2018LFK-7 |
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
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Dioden eingebunden
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ZXMN2A01FTA |
MOSFET N-CH 20V 1,9A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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IRLHS6342TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 8,7A PQFN
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Infineon Technologies
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IRF5802TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 0,9A 6-TSOP
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Infineon Technologies
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FDD8880 |
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
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Einheitlich
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NTF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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Einheitlich
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FQD7N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 5,8A DPAK
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Einheitlich
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FQD1N80TM |
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
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Einheitlich
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FDS6375 |
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
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Einheitlich
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ZXMN7A11GTA |
MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
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Dioden eingebunden
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
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Einheitlich
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DMN601WK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
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Dioden eingebunden
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STD4NK80ZT4 |
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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STMikroelektronik
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IRF7240TRPBF |
MOSFET P-CH 40V 10,5A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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IRF6727MTRPBF |
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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Infineon Technologies
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IRFS4229TRLPBF |
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
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Infineon Technologies
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STD3NK80ZT4 |
MOSFET N-CH 800V 2,5A DPAK
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STMikroelektronik
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STW9N150 |
MOSFET N-CH 1500V 8A bis 247
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STMikroelektronik
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 950V 17,5A bis 247
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STMikroelektronik
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IRLHS2242TRPBF |
MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
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Infineon Technologies
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56
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Einheitlich
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STW9NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 8A bis 247
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STMikroelektronik
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TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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Toshiba
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2SK3878 |
Anwendungen von Schaltregulatoren
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Toshiba
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BLF871 |
Rf FET LDMOS 89V 19DB SOT467C
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Ampleon USA Inc.
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MMBTH81 |
Wird die Anlage für die Verwendung in der Produktion des Produkts verwendet, ist die Anlage zu verwe
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Einheitlich
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BCV27 |
Darlington Transistoren SOT23 NPN Darlington
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Fairchild Halbleiter
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