IRF6727MTRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
32A (Ta), 180A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
74nC @ 4,5V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
4800
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6190pF @ 15V
Lieferanten-Gerätepaket:
DIRECTFET™ MX
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Verlustleistung (maximal):
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Packung / Gehäuse:
DirectFET™ isometrisches MX
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.35V @ 100µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Einleitung
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