STD3NK80ZT4
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2,5A DPAK
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±30V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
19nC @ 10V
Hersteller:
STMikroelektronik
Minimale Quantität:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
SuperMESH™
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
485 pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (maximal):
70W (TC)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 50μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
800 V
Einleitung
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