IRLHS6342TRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8,7A PQFN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±12V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
8.7A (Ta), 19A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
11nC @ 4,5 V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
4000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 4.5V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1019pF @ 25V
Lieferanten-Gerätepaket:
6-PQFN (2x2)
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Verlustleistung (maximal):
2.1W (Ta)
Packung / Gehäuse:
6-PowerVDFN
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 10µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Einleitung
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