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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FDN5630 |
MOSFET N-CH 60V 1,7A SSOT3
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Einheitlich
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DMN2050L-7 |
MOSFET N-CH 20V 5,9A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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FDG316P |
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
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Einheitlich
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ZXM61N03FTA |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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NTD5867NLT4G |
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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Einheitlich
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NTD3055L104T4G |
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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Einheitlich
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ZXMP6A13FQTA |
MOSFET P-CH 60V 0,9A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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FDMA520PZ |
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
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Einheitlich
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DMP10H400SK3-13 |
MOSFET P-CH 100V 9A TO252
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Dioden eingebunden
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IRFL4315TRPBF |
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
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Infineon Technologies
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FQD11P06TM |
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
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Einheitlich
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CSD19534Q5A |
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
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Texas Instruments
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IRF7820TRPBF |
MOSFET N CH 200V 3,7A 8-SO
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Infineon Technologies
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FDS3672 |
MOSFET N-CH 100V 7,5A 8-SOIC
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Einheitlich
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IRFR6215TRPBF |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
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Infineon Technologies
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ZXMP10A18KTC |
MOSFET P-CH 100V 3,8A DPAK
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Dioden eingebunden
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FDS2572 |
MOSFET N-CH 150V 4,9A 8-SOIC
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Einheitlich
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ZXMP10A18GTA |
MOSFET P-CH 100V 2,6A SOT223
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Dioden eingebunden
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FDS6681Z |
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
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Einheitlich
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FDMS037N08B |
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
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Einheitlich
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IRF5210STRLPBF |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
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Infineon Technologies
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FQB55N10TM |
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
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Einheitlich
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FDB44N25TM |
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
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Einheitlich
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FDB8441 |
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
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Einheitlich
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FDB3632 |
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Einheitlich
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FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
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Einheitlich
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FQP3P50 |
MOSFET P-CH 500V 2,7A bis 220
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Einheitlich
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FQPF47P06 |
MOSFET P-CH 60V 30A bis 220F
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Einheitlich
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STW15NK90Z |
MOSFET N-CH 900V 15A bis 247
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STMikroelektronik
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FCH041N60E |
MOSFET N CH 600V 77A bis 247
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Einheitlich
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DMN6140LQ-7 |
MOSFET N-CH 60V 1,6A SOT23
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Dioden eingebunden
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SI3443DV |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
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Einheitlich
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FDC654P |
MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6
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Einheitlich
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DMP3056LSS-13 |
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
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Dioden eingebunden
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FDT1600N10ALZ |
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
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Einheitlich
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DMN6040SVT-7 |
MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
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Dioden eingebunden
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FDS9431A |
MOSFET P-CH 20V 3,5A 8SOIC
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Einheitlich
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DMP4050SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
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Dioden eingebunden
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FDD6N20TM |
MOSFET N-CH 200V 4,5A DPAK
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Einheitlich
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NTD20P06LT4G |
MOSFET P-CH 60V 15,5A DPAK
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Einheitlich
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FDD8896 |
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
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Einheitlich
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FQD12N20LTM |
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
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Einheitlich
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I Nummer 2 zu finden. |
MOSFET N-CH 50V 16A bis 252AA
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Einheitlich
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FCD5N60TM |
MOSFET N-CH 600V 4,6A DPAK
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Einheitlich
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FDS3580 |
MOSFET N-CH 80V 7,6A 8SOIC
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Einheitlich
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IRLI540NPBF |
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
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Infineon Technologies
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Stellvertretung der Kommission |
MOSFET N-CH 650V 58A bis 247
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STMikroelektronik
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IRL40SC228 |
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
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Infineon Technologies
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STV270N4F3 |
MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10
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STMikroelektronik
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IRF7854TRPBF |
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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