IRF7820TRPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N CH 200V 3,7A 8-SO
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.7A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
44nC @ 10V
Hersteller:
Infineon Technologies
Minimale Quantität:
4000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
HEXFET®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1750pF @ 100V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SO
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
78 mOhm @ 2,2A, 10V
Verlustleistung (maximal):
2.5W (Ta)
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
200 V
Einleitung
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